BSC011N03LSATMA1 vs IPL60R065P7AUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC011N03LSATMA1 bằng Infineon và IPL60R065P7AUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 - 600V 65mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R065P7AUMA1 - 600V 65mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R065P7AUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC011N03LSATMA1 IPL60R065P7AUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 30V —
Polarity N-Channel Single N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 37 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 100 A (TC) —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.1 mOhm (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 96 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C -55 °C to +150 °C (T<sub>j</sub>)
Hộp PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) PG-VSON-4 (surface mount with exposed pad)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Technology Family — CoolMOS™ P7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) — 41 A
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 65 mΩ (max)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) — 201 W
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 3.5 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=400 V) — 2895 pF
Rise Time (t<sub>r</sub>) — 7 ns
Fall Time (t<sub>f</sub>) — 4 ns
Số lượng chân — 4
Channel Type — N-Channel
Drain to Source Voltage — 650 V (rating per AiEMA spec)
R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10 V, T<sub>j</sub>=25 °C) — 0.053 Ω
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá