BSC014N04LSIATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC014N04LSIATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC015N04NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC014N04LSIATMA1 | ISC015N04NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.5 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per Infineon SuperSO8 family) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Tradename | OptiMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 40V Normal Level |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.4 V (typ) |
| R_DS(on) max | — | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 206 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 115 W |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| Drive Level | — | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) |