BSC015NE2LS5IATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC015NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ011NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC015NE2LS5IATMA1 | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 50 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 5 (Trench) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55°C to +150°C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 4.5 V to 10 V |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |