BSC016N06NSATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC016N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R280P7SAUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC016N06NSATMA1 IPD60R280P7SAUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A 12 A
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 4 V max @ ID = 190 µA
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C —
پیکیج PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TO252-3 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
Series — CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
Integrated ESD Protection — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں