BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC0901NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC022N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0901NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| پیکیج | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 C to +175 C (junction) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C |
| نمی حساسیت کی سطح (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |