BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC023N08NS5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC022N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC023N08NS5SCATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mOhm at VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 79 W
Channel Type — N-Channel
پن کی تعداد — 8
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +175 C (junction)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں