BSC032N04LSATMA1 vs BSC150N03LDGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC032N04LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC150N03LDGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC032N04LSATMA1 BSC150N03LDGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench —
پیکیج PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-4 (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C -55C to +150C
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array (half-bridge)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C — 20 A
Continuous Drain Current (Id) @ TA=70C — [DATA_NEEDED: Id at TA=70C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm]
Gate-Source Voltage (Vgs) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.5 V
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm]
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg nC]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: typical Qgd nC]
Output Charge (Qoss) — [DATA_NEEDED: typical Qoss nC]
Power Dissipation (Pd) — 26 W
MSL لیول — 1
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں