BSC036NE7NS3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC036NE7NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB020NE7N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC036NE7NS3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 2.6 V —
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) 45 nC —
Rise Time (tr typ) 13 ns —
Fall Time (tf typ) 11 ns —
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) 156 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.8 C/W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C -55C to +175C (junction)
پیکیج PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس ROHS3 Compliant Compliant
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Number — IPB020NE7N3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
On-State Resistance RDS(on) — 2.0 mΩ typical (per part number code)
Configuration — Single
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per OptiMOS 3 family datasheet)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں