BSC059N04LS6ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC059N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC027N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC059N04LS6ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 49 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C 59 A —
On-Resistance RDS(on) max 5.9 mOhm at VGS=10 V —
Total Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Total Power Dissipation at TC=25C 38 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V ±20 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55°C to +150°C
پیکیج PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Diode Continuous Forward Current (IS) 38 A at TC=25C —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 236 A at TC=25C —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 83 W
MSL لیول — 1
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں