BSC059N04LS6ATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC059N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC072N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC059N04LS6ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 49 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C 59 A —
On-Resistance RDS(on) max 5.9 mOhm at VGS=10 V —
Total Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Total Power Dissipation at TC=25C 38 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
پیکیج PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Diode Continuous Forward Current (IS) 38 A at TC=25C —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 236 A at TC=25C —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 74 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں