BSC059N04LSGATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC059N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC058N04NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 - 40V 73A 5.9mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC059N04LSGATMA1 - 40V 73A 5.9mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC059N04LSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC059N04LSGATMA1 ISC058N04NM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 73 A 63 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 16 A 17 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mOhm —
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 1.2 V to 2.0 V (typ) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C -55C to +175C
پیکیج PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
REACH Status Compliant —
Channel Type N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 40V Normal Level
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A — 5.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.4 V
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 42 W
RoHS Compliance — RoHS Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL per JEDEC J-STD-020
Gate Drive Level — Normal Level (10V VGS recommended)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں