BSC066N06NSATMA1 vs IQDH35N03LM5CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC066N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور IQDH35N03LM5CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC066N06NSATMA1 | IQDH35N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 64 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | 45 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 256 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 6.6 mΩ (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 46 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | 1.3 °C/W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +150°C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 60 V trench-gate | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| Channel Type | — | N-Channel |