BSC066N06NSATMA1 vs IQDH35N03LM5CGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC066N06NSATMA1 מאת Infineon ו IQDH35N03LM5CGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | BSC066N06NSATMA1 | IQDH35N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 64 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | 45 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 256 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 6.6 mΩ (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 46 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | 1.3 °C/W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55°C to +150°C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 | 1 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 60 V trench-gate | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| נטול הלוגנים | — | Yes |
| Channel Type | — | N-Channel |