BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC076N06NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC047N08NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC076N06NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS™ 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 °C to +175 °C (Tj)
پیکیج PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) —
RoHS Compliance Compliant —
ہیلوجن فری Yes (per Infineon product page) —
Part Number — BSC047N08NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
On-Resistance RDS(on) max — 4.7 mOhm at VGS=10 V
Power Dissition (Tc) — 125 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) — Normal level (typ 1.7 V)
Avalanche Rated — 100% tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں