BSC076N06NS3GATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC076N06NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUT300N08S5N012ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC076N06NS3GATMA1 IAUT300N08S5N012ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS™-5 80 V
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 °C to +175 °C (TJ)
پیکیج PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Compliance Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes (per Infineon product page) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 1200 A (per datasheet, typical)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں