BSC0906NSATMA1 vs BSC120N03LSGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0906NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC120N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC0906NSATMA1 | BSC120N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 63 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS | — |
| RDS(on) max (typical reference) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction, typical) | -55C to +150C (TJ) |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 39 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 12 mOhm (typical) |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 28 W |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |