BSC0906NSATMA1 vs BSC120N03LSGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0906NSATMA1 מאת Infineon ו BSC120N03LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC0906NSATMA1 | BSC120N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 63 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS | — |
| RDS(on) max (typical reference) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction, typical) | -55C to +150C (TJ) |
| מספר פינים | 8 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 39 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 12 mOhm (typical) |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 28 W |
| רמת MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |