BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC093N15NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC016N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC093N15NS5ATMA1 BSC016N06NSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 150V OptiMOS™ 5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
پیکیج SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +150 °C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] 71 nC
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
ہیلوجن فری [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
Gate Drive (recommended) — 10 V

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں