BSC117N08NS5ATMA1 vs IPD060N03LGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC117N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD060N03LGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 - 30V 50A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD060N03LGATMA1 - 30V 50A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD060N03LGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC117N08NS5ATMA1 IPD060N03LGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC117N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) max 49 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 11.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 50 W —
پیکیج PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول 1 1 (Unlimited)
Product Family — OptiMOS 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM, TC=25C, tp<=10us) — 200 A
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.7 V
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 6.0 mOhm (typ) / 7.5 mOhm (max)
On-State Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg, typ) — 21 nC
Output Charge (Qoss, typ) — [DATA_NEEDED: Qoss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 56 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC, max) — 2.5 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA, max, std PCB) — 62 C/W
پیکیج / کیس — PG-TO252-3 (DPAK)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Packing — Tape & Reel (T/R), 2500 per reel
AEC-Q101 / Automotive Grade — Not qualified
Technology / Generation — OptiMOS 30V, trench MOSFET

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں