BSC118N10NSGATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC118N10NSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC100N10NSFGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC118N10NSGATMA1 | BSC100N10NSFGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 2 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Mode | Enhancement (Normal Level) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 11 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 71 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 114 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +150 C | — |
| Technology | Trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| JEDEC Qualification | Qualified per target application | — |
| Target Application | High-frequency SMPS, synchronous rectification | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| Series | — | OptiMOS |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | — | 11.4 A |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD), Tc | — | 156 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 10 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (for rated RDS(on)) |