BSL308CH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSL308CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP135H6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSL308CH6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs —
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
پیکیج PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction, typical)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes (per Infineon product family convention) —
Part Number — BSP135H6327XTSA1
FET Type — N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode — Normally ON (depletion)
Technology — SIPMOS (planar DMOS)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں