BSO150N03MDGXUMA1 vs BSC120N03LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSO150N03MDGXUMA1 بذریعہ Infineon اور BSC120N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSO150N03MDGXUMA1 BSC120N03LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSO150N03MDGXUMA1 —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max per channel 9.3 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 15 mOhm at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.0 V —
Power Dissipation (PD) max 1.4 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55C to +150C (TJ)
پیکیج PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Channel Configuration Dual N-Channel (independent) —
Product Family — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 39 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 12 mOhm (typical)
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 28 W

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں