BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ018NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ024N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ018NE2LSIATMA1 | BSZ024N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSZ018NE2LSIATMA1 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 22 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 1.8 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 69 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount, top-side drain pad |
| Technology | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 130 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 2.4 mΩ |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.3 V (typical) |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | — | 25 nC |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 1.8 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 19 pF |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 75 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55°C to +175°C |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |