BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ018NE2LSIATMA1 bằng Infineon và BSZ024N04LS6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ018NE2LSIATMA1 - 25V N-Ch OptiMOS 1.8mOhm MOSFET | Infineon
BSZ018NE2LSIATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ018NE2LSIATMA1 | BSZ024N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSZ018NE2LSIATMA1 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 22 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 1.8 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 69 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount, top-side drain pad |
| Technology | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 130 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 2.4 mΩ |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.3 V (typical) |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | — | 25 nC |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 1.8 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 19 pF |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 75 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55°C to +175°C |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |