BSZ060NE2LSATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ060NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N06S5L032ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ060NE2LSATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ060NE2LSATMA1 —
Technology OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 44 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 26 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 C to +175 C (T_j)
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Packaging Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS 5 (60 V)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, T_j) — 120 A
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) — 3.2 mOhm
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) — 94 W
AEC-Q101 Qualified — Yes
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge Q_G — [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں