BSZ060NE2LSATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSZ060NE2LSATMA1 bằng Infineon và IAUC120N06S5L032ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSZ060NE2LSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1 - 25V 44A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ060NE2LSATMA1 - 25V 44A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ060NE2LSATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSZ060NE2LSATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ060NE2LSATMA1 —
Technology OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C 12 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 44 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 26 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C -55 C to +175 C (T_j)
Hộp PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Shipping Packaging Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS 5 (60 V)
Kiểu transitor — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, T_j) — 120 A
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) — 3.2 mOhm
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) — 94 W
AEC-Q101 Qualified — Yes
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge Q_G — [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá