BSZ065N06LS5ATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ065N06LS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC066N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ065N06LS5ATMA1 | BSC066N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 5 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 logic-level | OptiMOS 5 60 V trench-gate |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 65 A | — |
| Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.5 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 46 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V | 1.7 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=4.5 V | 26 nC (typ) |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.8 nF | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 64 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | 45 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 256 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 6.6 mΩ (max) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 46 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | — | 1.3 °C/W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55°C to +150°C |
| MSL لیول | — | 1 |