BSZ096N10LS5ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ096N10LS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ110N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS max) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) 20 V (typical) —
Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) 40 A —
Maximum Silicon Drain Current (ID max) 62 A —
Pulse Drain Current (ID,pulse) 160 A —
On-Resistance RDS(on) max 9.6 mΩ at VGS=10 V 11 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (low single-volt range) —
Diode Continuous Forward Current (IS) 40 A (TC=25 °C) —
Diode Forward Voltage (VSD) 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Gate Drive Logic-level compatible —
ESD Protection Yes (gate-integrated) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Packaging Code ATMA1 (tape and reel) —
Part Family — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 40 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Configuration — Single MOSFET
Gate Drive Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS rating]
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں