BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ150N10LS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ130N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ150N10LS3GATMA1 —
Technology / Family OptiMOS 3 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 15 mΩ —
Power Dissipation (TA=25 °C) 2.1 W —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 63 W —
پیکیج PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature Range (TJ) -55 °C to +150 °C —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free / Reflow Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (junction)
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں