FDP100N10 vs IPP120N08S403AKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از FDP100N10 بذریعہ onsemi اور IPP120N08S403AKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر FDP100N10 IPP120N08S403AKSA1
برانڈ onsemi Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 75 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on) Max) 10 mOhm —
Power Dissipation (PD) 208 W (Tc) —
Gate-Source Voltage (VGS Max) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) Max) 4.5 V @ 250 uA —
Technology PowerTrench MOSFET —
پیکیج TO-220-3 (TO-220AB) TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Configuration Single MOSFET —
Product Series PowerTrench —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
ماؤنٹنگ اسٹائل Through Hole / TO-220AB package —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (onsemi) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Green Product)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: gate charge] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 120 A
Pulsed Drain Current (bondwire-limited) — 245 A at 25 C
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 278 W (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) — 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V max
Total Gate Charge (Qg) — 167 nC
Input Capacitance (Ciss) — 11550 pF
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.54 K/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
MSL لیول — MSL1 (peak reflow up to 260 C)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Rating — 100% avalanche-tested
Channel Type — N-Channel enhancement mode
Technology Family — OptiMOS

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں