FDP86363-F085 vs IRFB3207ZPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از FDP86363-F085 بذریعہ onsemi اور IRFB3207ZPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
onsemi
FDP86363-F085 - 80V 110A N-Channel PowerTrench MOSFET | onsemi
FDP86363-F085 ⚠ آخری بار خریداری
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | FDP86363-F085 | IRFB3207ZPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | onsemi | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | آخری بار خریداری | فعال |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 110 A | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: single-pulse IDM rating] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance Rds(on) at Vgs=10V | 2.8 mOhm typical | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | [DATA_NEEDED: max Rds(on) at Vgs=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) min/typ/max] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| Junction-to-Case Thermal Resistance RthetaJC | 0.5 C/W | — |
| Junction-to-Ambient Thermal Resistance RthetaJA | 62.5 C/W (on 1 in^2 pad of 2oz copper per datasheet) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| Package Type | TO-220-3 (TO-220AB) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | PowerTrench (shielded-gate trench) | N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED: explicit halogen-free claim] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRFB3207ZPBF |
| Series | — | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 170 A |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.1 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| پیکیج | — | TO-220AB (3-lead through-hole) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free) |
| MSL لیول | — | N/A (through-hole) |
| Avalanche Rated | — | Yes (improved Z-variant ruggedness) |