FDP86363-F085 vs IRFB3207ZPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của FDP86363-F085 bằng onsemi và IRFB3207ZPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | FDP86363-F085 | IRFB3207ZPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | onsemi | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Lần mua cuối | Hoạt động |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 110 A | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: single-pulse IDM rating] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance Rds(on) at Vgs=10V | 2.8 mOhm typical | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | [DATA_NEEDED: max Rds(on) at Vgs=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) min/typ/max] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| Junction-to-Case Thermal Resistance RthetaJC | 0.5 C/W | — |
| Junction-to-Ambient Thermal Resistance RthetaJA | 62.5 C/W (on 1 in^2 pad of 2oz copper per datasheet) | — |
| Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | — |
| Package Type | TO-220-3 (TO-220AB) | — |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | PowerTrench (shielded-gate trench) | N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED: explicit halogen-free claim] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRFB3207ZPBF |
| Series | — | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 170 A |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.1 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| Hộp | — | TO-220AB (3-lead through-hole) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free) |
| Cấp MSL | — | N/A (through-hole) |
| Avalanche Rated | — | Yes (improved Z-variant ruggedness) |