GAN111-650WSBQ vs GAN111-650WSB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از GAN111-650WSBQ بذریعہ Nexperia اور GAN111-650WSB بذریعہ Nexperia. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | GAN111-650WSBQ | GAN111-650WSB |
|---|---|---|
| برانڈ | Nexperia | Nexperia |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | GaN HEMT H2 + low-voltage Si MOSFET cascode | GaN HEMT H2 (cascode, normally-off) |
| Polarity | N-Channel, normally-off (GaN FET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 650 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 97 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 21 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 107 W (Ta) | — |
| Drive Voltage | 10 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | TO-247-3L (SOT429), Through Hole | TO-247 (SOT429) through-hole, 3-lead |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: input capacitance] | — |
| Thermal Resistance (Rth(j-c)) | [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Nexperia |
| On-Resistance RDS(on) (typ) | — | 97 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID, at Ta) | — | 21 A |
| Power Dissipation (PD, at Ta) | — | 107 W |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Gate Drive Compatibility | — | Standard silicon MOSFET gate drive (0-12 V typical) |
| Operating Mode | — | Normally-off (cascode) |
| Target Applications | — | SMPS, PFC, OBC, solar inverter, industrial drives |
| Orderable Part Suffix | — | WSBQ (tape-and-reel/ammopack) |