H5AN4G6NBJR-VKC vs K4A4G165WD-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN4G6NBJR-VKC بذریعہ SK hynix اور K4A4G165WD-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN4G6NBJR-VKC | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Operating Current | 38 mA (typical, per distributor data) | — |
| انٹرفیس | Parallel | SSTL-12 |
| Technology | CMOS | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +95C | 0C to +85C (commercial) |
| پیکیج | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| Body Size | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration; write leveling | — |
| Protection Functions | Asynchronous reset; CRC; data mask | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes (external RZQ resistor) |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |