H5AN8G4NAFR-RDC vs H5AN8G4NAFR-PBC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G4NAFR-RDC بذریعہ SK hynix اور H5AN8G4NAFR-PBC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-PBC
برانڈ SK hynix SK hynix
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 4 2Gb x 4
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
پیکیج FBGA-78 78-ball FBGA
Data Rate Class [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] —
انٹرفیس Synchronous, differential clock CK_t/CK_c —
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant (Lead-Free) Compliant
ہیلوجن فری Yes —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard —
Manufacturer SK hynix —
Datasheet Revision Rev. 1.2 / Jul. 2017 —
Interface Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V +/- 0.06 V
Wordline Pump Voltage (VPP) — 2.5 V (+0.25/-0.125 V)
Speed Bins (per datasheet) — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON)
Bank Groups — 4 (BG0-BG1)
Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Row Address — A0-A16 (17 bits)
Technology — CMOS
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (RoHS Compliant per datasheet)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin]
Geardown Mode Note — DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں