H5TC4G63AFR-PBA vs K4B4G1646E-BMK0 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63AFR-PBA بذریعہ SK hynix اور K4B4G1646E-BMK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BMK0 K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5TC4G63AFR-PBA K4B4G1646E-BMK0
برانڈ SK hynix Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $3.98 —
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V —
ڈیٹا ریٹ 1866 Mbps (PC3L-14900) 1600 Mbps
پیکیج 96-ball FBGA 96-FBGA
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج 0°C to +95°C (Tcase) —
انٹرفیس 16-bit I/O Parallel
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Partial Array Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Speed Grade — 1600 Mbps
Voltage — 1.35 V
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40°C to +95°C
Clock Frequency — 800 MHz
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں