H5TC4G63MFR-PBA vs K4B4G1646E-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63MFR-PBA بذریعہ SK hynix اور K4B4G1646E-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5TC4G63MFR-PBA | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps (PC3L-14900) | DDR3-1600 (800 MHz) |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to +95°C (TC) |
| CAS لیٹنسی | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |