IAUA220N08S5N021AUMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUA220N08S5N021AUMA1 بذریعہ Infineon اور IPC100N04S5L1R5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUA220N08S5N021AUMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 ✓ فعال
Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUA220N08S5N021AUMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS-5 (75V-120V family) —
Drain-Source Voltage (V_DS max) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 220 A —
Static Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)) 2.1 mΩ at 10 V V_GS —
Power Dissipation (P_D, Tc) 211 W —
Gate-Source Voltage (V_GS max) [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (Tj) -55C to +175C
پیکیج PG-HSOF-5-4 (7x8 mm²) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] MSL1 (260C peak reflow)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Green Product)
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical at V_GS=10V] —
Output Capacitance (C_oss) [DATA_NEEDED: C_oss typical] —
Thermal Resistance (R_thJC) [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100%

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں