IAUC100N04S6L025ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC100N04S6L025ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N06NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUC100N04S6L025ATMA1 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 6 40V trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 2.5 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 62 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 3.5 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| ہیلوجن فری | — | Yes (per Infineon product page) |