IAUC100N04S6L025ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUC100N04S6L025ATMA1 توسط Infineon و BSC076N06NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUC100N04S6L025ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology OptiMOS 6 40V trench MOSFET N-Channel Trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 50 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 62 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
محدوده دمای کاری — -55C to +150C
RoHS Compliance — Compliant
بدون هالوژن — Yes (per Infineon product page)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت