IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC100N04S6L025ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN10S7N021ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 6 40V trench MOSFET OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 62 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
پیکیج PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں