IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC120N06S5L015ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN10S5L280DATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 235 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg, typ) 88 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 167 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (Tj) -55C to +175C (junction)
پیکیج PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (exposed pad) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions VGS = 10 V, ID = 50 A —
Typical Application Automotive DC-DC, battery switches, motor drives —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
پن کی تعداد — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں