IAUC120N06S5L032ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC120N06S5L032ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUC120N06S5L032ATMA1 | BSC014N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 (60 V) | OptiMOS 5 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | 120 A | — |
| R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) | 3.2 mOhm | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) | 94 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (T_j) | -55C to +150C |
| Technology | OptiMOS 5 Trench | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] | — |
| Total Gate Charge Q_G | [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/- 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 30 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | — | 1.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.45 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 156 W |