IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC50N08S5L096ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC100N04S6N028ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 50 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A —
On-Resistance (RDS(on)) 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Power Dissipation (PD) 60 W (Tc) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C
پیکیج PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8 (TDSON-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] —
Series — OptiMOS 6 40V
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 400 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 2.8 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 1.5 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g in nC]
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C — 62 W
Automotive Qualified — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں