IAUC90N10S5N062ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC90N10S5N062ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0906NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 - 100V 90A 6.2mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC90N10S5N062ATMA1 - 100V 90A 6.2mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC90N10S5N062ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUC90N10S5N062ATMA1 BSC0906NSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 90 A —
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.2 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 115 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5) OptiMOS
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant, Green Product) —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction, typical)
پن کی تعداد — 8
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں