IAUCN04S7N009ATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N009ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC123N08NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN04S7N009ATMA1 | BSC123N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | 0.96 mΩ | — |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | 10 V | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| MSL لیول | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant with exemption |
| Configuration | Single N-Channel | Single with built-in body diode |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 | — |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 55 A |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 11 A |
| Maximum Pulsed Drain Current | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10 V | — | 12.3 mOhm |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 66 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |