IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N019GATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N04S6N010ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7N019GATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
پیکیج PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Technology — OptiMOS 6
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں