IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs BSC0901NSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUZ18N10S5L420ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0901NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUZ18N10S5L420ATMA1 | BSC0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 100V | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V to 2.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | 8.5 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm | PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | 1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm typical |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.2 V max |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge nC] |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +150 C |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| ہیلوجن فری | — | Yes |