IPB037N06N3GATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB037N06N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R040CFD7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB037N06N3GATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (junction) -55°C to +150°C
پیکیج / کیس PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (unlimited) 1
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 227 W
پیکیج — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں