IPB037N06N3GATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB037N06N3GATMA1 توسط Infineon و IPB60R040CFD7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB037N06N3GATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C (junction) -55°C to +150°C
بسته‌بندی / کیس PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (unlimited) 1
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
اتلاف توان (TC=25°C) — 227 W
بسته‌بندی — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت